Diferencia entre vacante y sustitucion

Diferencia entre vacante y sustitucion

Divacancia

Para poder comparar, primero presentamos una breve discusión sobre las propiedades estructurales y electrónicas del seleniuro de germanio monocapa abrochado. Para demostrar la estabilidad del SL-GeSe, calculamos sus energías de cohesión por par de átomos, definidas como sigue:

Fig. 1 Vistas superior y lateral de la configuración atómica de las (4 × 4) superceldas de la fase b-GeSe, consideradas para las vacantes y el proceso de sustitución, y la correspondiente densidad de estados proyectada para la monocapa prístina de b-GeSe. La energía cero se establece en el nivel de Fermi, mostrado por una línea discontinua.

Tabla 1 Parámetros calculados para las sustituciones de átomos en las supercélulas (4 × 4) de GeSe en la posición de Ge. Ecoh es la energía de cohesión; Eform es la energía de formación; a es la constante de red (NC indica que la constante de red no se modifica), que es la misma que en la monocapa desnuda; d(X-Ge) y d(X-Se) son las distancias de enlace entre el átomo sustituido (X) y los átomos de Ge y Se en b-GeSe, respectivamente (para VGe, las distancias de enlace se dan para Se-Ge y Se-Se); μ es el momento magnético local (NM indica un sistema no magnético); ρ* es el exceso de carga del átomo sustituido, obtenido restando la carga del átomo sustituido de su carga de valencia (un signo negativo indica exceso de electrones). En el caso de VGe, las cargas en exceso de los átomos alrededor de la vacante se indican en la tabla

Energía de formación de vacantes

La difusión puede producirse por dos mecanismos diferentes: la difusión intersticial y la difusión sustitutiva. Imagínese un átomo de impureza en una estructura por lo demás perfecta. El átomo puede situarse en la propia red, sustituyendo a uno de los átomos del material en bruto, o si es lo suficientemente pequeño, puede situarse en un intersticio (intersticial). Estas dos posiciones dan lugar a dos mecanismos de difusión diferentes.

Lee más  Diferencia entre acceso libre y promocion interna

La difusión sustitutiva se produce por el movimiento de los átomos de un sitio atómico a otro. En una red perfecta, esto requeriría que los átomos se «intercambiaran» dentro de la red. Un intercambio directo de átomos requeriría una gran cantidad de energía, ya que los átomos que se intercambian tendrían que apartar físicamente a otros átomos para poder cambiar de lugar. Por tanto, en la práctica, éste no es el mecanismo por el que se produce la difusión sustitutiva. Otro mecanismo teórico de sustitución es la sustitución en anillo. En este caso, varios átomos de la red cambian simultáneamente de lugar entre sí. Al igual que el método de intercambio directo, la sustitución en anillo no se observa en la práctica. El movimiento de los átomos necesario es demasiado improbable.

Dislocación

… Gomes et al. 19 informaron de la existencia de vacantes en las MX y Wu et al. 27 predijeron el rendimiento de la HER de las vacantes en los planos basales de las MX y la estabilidad de los modelos calculados se evaluó mediante la ingeniería de deformaciones, lo que indica que tanto los defectos como las deformaciones desempeñan un papel importante en el rendimiento de la HER de las MX. Ersan et al.

28 estudiaron el efecto de las vacantes y la sustitución de los átomos del bloque p en el GeSe monocapa abombado. Además, el rendimiento HER de los materiales 2D, como MoS 2 y MoSe 2 , se origina principalmente en los sitios de borde. …

… Además, los defectos nativos de los nanomateriales de una sola capa desempeñan un papel crucial en la funcionalización de sus propiedades electrónicas y magnéticas. El ajuste de los materiales 2D mediante defectos puntuales para diversas aplicaciones ha sido demostrado por estudios teóricos y experimentales anteriores [33][34]

Lee más  Ventanilla única administración pública

[35][36][37][38][39][40], en los que las monocapas pueden modificarse para diferentes aplicaciones a nanoescala. Está bien demostrado que, con los estudios mencionados anteriormente, la creación de defectos puntuales y el dopaje/sustitución de átomos son métodos muy útiles para la modulación de monocapas para diferentes aplicaciones. …

Defecto intersticial

En la perovskita de tipo AMX3, la vacante del sitio A es responsable de la conducción de iones de litio. La figura 2.16 muestra la imagen esquemática de la migración de iones de litio a través de la vacante del sitio A. Como la migración de iones de litio está bloqueada por el contra catión del sitio A en el centro cúbico, la vacante del sitio A es necesaria para la conducción de iones de litio. El ion litio pasa a través de la parte cuadrada M4X4, que se llama cuello de botella. Existe una repulsión estérica entre el ion litio conductor y el cuello de botella. Para investigar el mecanismo de conducción del ión litio, construimos el «modelo iónico I de Onishi: ión litio» como modelo LiM8X12, como se muestra en la Figura 2.17. El ion litio está desplazado a lo largo del eje x. Este modelo nos permitió estimar la energía de activación para la conducción de iones de litio.

Aparte de acelerar la cinética de envejecimiento y de proporcionar lugares de nucleación de dislocaciones, las vacantes pueden desempeñar un papel estructural cuando precipitan de forma cooperativa con los átomos de soluto para facilitar las disposiciones atómicas básicas necesarias para transformar la estructura cristalina matriz en la de la fase producto. En esencia, el proceso implica la incorporación sistemática de un exceso de vacantes, producidas por el enfriamiento inicial o durante el posterior recocido del bucle de dislocación, en una zona o placa de precipitado para cambiar el apilamiento atómico. Un ejemplo sencillo de la formación de θ′ en Al-Cu se muestra de forma esquemática en la Figura 13.12. Idealmente, la estructura de la fase θ″ en Al-Cu consiste en capas de cobre en {1 0 0} separadas por tres capas de átomos de aluminio. Si se elimina una capa de átomos de aluminio vecina de la capa de cobre mediante la condensación de un bucle de vacante, se forma una célula unitaria θ′ embrionaria con Al en la secuencia de apilamiento AAA…. correcta (Figura 13.12(b)). La formación de la estructura final de fluorita CuAl2θ′ sólo requiere barajar la mitad de los átomos de cobre en el recién creado espacio del vecino más cercano y la relajación concurrente de los átomos de Al a las distancias θ′interplanares correctas (Figura 13.12(c)).

Lee más  Presidente de sala del tribunal supremo